JESD22-A103高溫儲(chǔ)存試驗(yàn)箱是半導(dǎo)體、光電、LED等領(lǐng)域必備的測(cè)試設(shè)備，用于測(cè)試和確定產(chǎn)品在高溫加速老化試驗(yàn)過(guò)程仲產(chǎn)品的特性，高溫儲(chǔ)存試驗(yàn)箱屬模擬氣候環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備之一，高溫儲(chǔ)存試驗(yàn)就是通過(guò)讓產(chǎn)品進(jìn)行高溫的工作，來(lái)評(píng)價(jià)產(chǎn)品的老化性能以及使用壽命。
適用標(biāo)準(zhǔn)：JESD22-A103-E 高溫貯存壽命
技術(shù)參數(shù)：
高溫存儲(chǔ)試驗(yàn)條件：
失效標(biāo)準(zhǔn)：
如果超出參數(shù)限制，或在采購(gòu)文件中規(guī)定的額定和壞情況下無(wú)法實(shí)現(xiàn)功能，則設(shè)備將被視為高溫貯儲(chǔ)故障。對(duì)于非易失性存儲(chǔ)器，應(yīng)在存儲(chǔ)前后驗(yàn)證規(guī)定的數(shù)據(jù)保留模式。裕度測(cè)試可用于檢測(cè)數(shù)據(jù)保留退化。
機(jī)械損傷，如塑封破裂、碎裂或破裂（如JESD22-B101中所定義）將被視為故障，前提是此類損傷不是由固定裝置或搬運(yùn)引起的，并且對(duì)特定應(yīng)用中的塑封性能至關(guān)重要。
外觀包裝缺陷、鉛表面處理退化或可焊性不被視為該應(yīng)力的有效失效標(biāo)準(zhǔn)。
測(cè)試原理：
高溫存儲(chǔ)測(cè)試的原理是模擬芯片在長(zhǎng)時(shí)間存儲(chǔ)期間可能面臨的高溫環(huán)境，以評(píng)估芯片在這種條件下的性能和可靠性。這種測(cè)試有助于發(fā)現(xiàn)潛在的可靠性問(wèn)題，預(yù)測(cè)芯片在實(shí)際使用中可能遇到的問(wèn)題，并采取必要的措施來(lái)改善芯片設(shè)計(jì)、材料選擇或封裝技術(shù)。
如有JESD22-A103高溫儲(chǔ)存試驗(yàn)箱的選型疑問(wèn)，可以咨詢環(huán)儀儀器相關(guān)技術(shù)人員。
