JESD22偏壓雙85濕熱試驗機適用于半導體、芯片、光電產品的高溫高濕試驗，在半導體行業(yè)則需要做偏壓濕熱試驗，偏壓濕熱試驗屬于老化試驗的一種，老化測試（Burn-in）：是指對產品施加電壓和溫度應力，以便在早期階段消除產品潛在缺陷的測試。封裝后執(zhí)行的老化測試被稱為“老化中測試（TBDI）”。
偏壓試驗的5個試驗要點：
試驗設備：環(huán)儀儀器 JESD22偏壓雙85濕熱試驗機
試驗要點：
1.試驗背景
AEC-Q101標準：HTRB試驗是AEC-Q101標準中的Group B加速壽命模擬試驗的一部分，該標準廣泛用于汽車級、工業(yè)級和軍用級半導體器件的測試。
軍用級參考：HTRB試驗方法參考了MIL-STD-750方法1038條件A（適用于二極管、整流器和齊納管）和M1039條件A（適用于晶體管）。
2.試驗目的
缺陷識別：HTRB旨在識別制造過程中產生的潛在缺陷，這些缺陷在未進行老化處理的情況下可能導致器件過早失效。
故障模式揭示：通過在特定條件下運行半導體器件，HTRB試驗揭示了由時間和應力引起的電氣故障模式。
3.試驗條件
電壓與溫度：根據AEC-Q101標準，測試在最大直流反向電壓下進行1000小時，同時控制結溫以防止熱失控，環(huán)境溫度TA可以根據需要從Ta(MAX)向下調整。
批量測試：標準要求對3批*77顆器件進行同時測試，以確保數據的代表性和統計意義。
實時監(jiān)控：測試過程中需實時監(jiān)控漏電流，并在老化前后測量器件的靜態(tài)參數。
4.試驗前的電性能參數
參數測量：試驗前后需對器件進行基本的靜態(tài)參數測量，確保所有性能參數符合用戶零件規(guī)范的要求。
5.失效判定標準
性能參數：器件在試驗后應繼續(xù)符合用戶零件規(guī)范中定義的性能參數要求。
參數變化：試驗后的電性能參數變化應保持在初始值的±20%以內。
泄漏電流：允許的泄漏電流不超過試驗前初始值的5倍。
物理損壞：器件外觀不得出現任何由試驗引起的物理損壞。
如對以上試驗有任何疑問，可以咨詢環(huán)儀儀器相關技術人員。
